Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
jonction source-substrat — ištakos padėklo sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. source substrate junction vok. Source Substrat Übergang, m rus. переход исток подложка, m pranc. jonction source substrat, f … Radioelektronikos terminų žodynas
source-substrate junction — ištakos padėklo sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. source substrate junction vok. Source Substrat Übergang, m rus. переход исток подложка, m pranc. jonction source substrat, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ištakos-padėklo sandūra — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. source substrate junction vok. Source Substrat Übergang, m rus. переход исток подложка, m pranc. jonction source substrat, f … Radioelektronikos terminų žodynas
переход исток-подложка — ištakos padėklo sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. source substrate junction vok. Source Substrat Übergang, m rus. переход исток подложка, m pranc. jonction source substrat, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Drain — Feldeffekttransistoren oder FET (engl. field effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am Stromtransport beteiligt ist – abhängig von der Bauart… … Deutsch Wikipedia
Feldeffekttransistoren — oder FET (engl. field effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am Stromtransport beteiligt ist – abhängig von der Bauart Elektronen oder Löcher bzw.… … Deutsch Wikipedia
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
FinFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
MOS-FET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
